目前主流存储器大部分都是RAM，在RAM中按原理还分为两类——易失性的（Volatile）和非易失的（Non-Volatile），区别在于断电后是否保存数据。易失性的存储器有SRAM/DRAM，主要用途分别是高速缓存和内存条。非易失性的主要是包含硬盘和Flash，主要用途为U盘，SD卡和SSD硬盘。能够克服嵌入式闪存技术自身局限又具有成本优势、低功耗、高性能和小足迹的新型内存技术，其中比较有前景的就是RRAM技术。

一、RRAM是什么？

RRAM即阻变式存储器。

1、RRAM的组成

典型的RRAM设备由两个金属电极夹一个薄介电层组成，其中介电层作为离子传输和存储介质。选用不同的材料，实际机制会有显着差别，但所有RRAM设备间的共同连接是电场或是热源，它们引起存储介质离子运动和局部结构变化，反过来又造成设备电阻的显着变化。在3D架构中，RRAM各分层还可以彼此叠加，从而可以小足迹实现大内存容量。借助具体的架构技术，RRAM可以层叠在CMOS逻辑闸上，从而产生超密逻辑 内存系统的解决方案。

2、RRAM的原理

RRAM是一种根据施加在金属氧化物(Metal Oxide)上的电压的不同，使材料的电阻在高阻态和低阻态间发生相应变化，从而开启或阻断电流流动通道，并利用这种性质储存各种信息的内存。

3、RRAM的制备方法

提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一电极、金属层和氧化介质层；执行氧化工艺，使所述氧化工艺中的氧化气体穿过所述氧化介质层扩散至所述金属层中，并与所述金属层反应形成阻变层；在所述氧化介质层上形成第二电极。

二、RRAM的特点

1、RRAM技术具有消费类电子产品、家用电器、无线传感器网络和性电子产品所需的成本竞争优势。而且，其经过提升的读写性能和高能效还有望应用于移动设备和可穿戴电子设备上。

2、RRAM，可显著提高耐久性和数据传输速度的可擦写内存技术。

3、RRAM中氧化介质层具有较好的储存氧空位和氧离子的特性，从而可以固定所述阻变层中的导电通道，由此可以提高阻变存储器的工作稳定性和可靠性。

以上就是关于RRAM以及RRAM的特点的介绍，大家是否更加了解RRAM了呢？随着电子产品技术不断地进步，存储技术也需要不断地研究，存储技术就像兵粮，电子技术的发展离不开存储技术的发展，两者是相互依存的。